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siehe Spezifikationen für Produktdetails.
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onsemi NGTB30N120LWG
| Artikelnummer: | NGTB30N120LWG |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 1200V 30A TO247 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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onsemi NGTB30N120LWG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NGTB30N120LWG.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A Testbedingung 600V, 30A, 10Ohm, 15V Td (ein / aus) bei 25 ° C 136ns/360ns Schaltenergie 4.4mJ (on), 1mJ (off) Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 Serie - Leistung - max 560 W Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Paket Tube Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole Eingabetyp Standard IGBT-Typ Trench Field Stop Gate-Ladung 420 nC Strom - Collector Pulsed (Icm) 240 A Strom - Kollektor (Ic) (max) 60 A Grundproduktnummer NGTB30 NGTB30N120LWG Einzelheiten PDF [English] NGTB30N120LWG PDF - EN.pdf -
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